중국 팹리스(반도체 설계 전문업체)인 디산커지가 2나노(nm) 공정 기반의 고성능 AI 반도체를 개발했다.
15일 중국 반도체 업계에 따르면 디산커지는 최근 고성능 AI GPU 개발 성과를 공개했다.
상하이에 본사를 둔 디산커지는 국제 최첨단 설계 수준의 프로토타입을 완성했다면서 현재 프로토타입 검증 단계를 진행중이라고 발표했다.
디산커지의 AI 반도체는 핀펫(FinFET)공정과 GAA(게이트올어라운드)를 결합한 혼합 공정을 적용하고, 칩렛(Chiplet) 기반 이종 통합 아키텍처를 채택한 것으로 알려지고 있다.
또 자체 개발한 연산 코어 ‘디산즈허(DS-Core)’를 탑재한 것으로 알려지고 있다. 트랜지스터 수는 약 1700억 개에 달하는 것으로 전해지고 있다.
패키징 측면에서는 2.5D 코워스(CoWoS)-L 첨단 패키징 기술을 적용했다.
반도체의 성능은 50 TFLOPS(테라플롭스), 100 TFLOPS, 400 TFLOPS 등 세가지 버전으로 나뉜다. 이를 통해 다양한 정밀도 요구를 가진 AI 대형 모델의 학습 및 추론 작업에 대응할 수 있다.
전력 효율은 이전 세대 대비 약 40% 향상됐으며, 소비 전력은 350W 수준으로 억제됐다.
디산커지는 이와 함께 고대역폭 메모리(HBM) 패키징 인터커넥트와 초저지연 칩 간 통신 기술을 확보한 것으로 전해졌다.
특히 해당 칩은 엔비디아의 NVLink 6와 호환되는 인터커넥트 프로토콜을 지원하며, 단일 링크 대역폭은 1.6TB/s에 달한다. 엔비디아의 CUDA 소프트웨어 생태계와의 호환도 지원한다.
중국 매체 신원천바오는 다만 디산커지의 해당 반도체는 아직 정식으로 테이프아웃(설계도의 파운드리 전송) 단계에 진입하지 못했다고 전했다.
